存储市场供不应求态势明显：Wafer报价再次大幅上调，DDR5颗粒价格涨幅高达30%

2025-11-04 来源：国际电子商情

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关键词： DDR5 颗粒，DRAM NAND Flash TF 卡，价格涨幅

在强劲需求推动下，本周DDR5颗粒价格涨幅高达30%。

DRAM：DDR5颗粒价格涨幅高达30%

本周DRAM现货市场价格不断飞涨。由于原厂供应仍高度紧张，且Kingston等厂商持续限量出货，多家模组厂迫于备货压力，只能积极在现货市场购买颗粒。

在此强劲需求推动下，本周DDR5颗粒价格涨幅高达30%。目前市场供不应求的态势愈发明显，短期内供应问题难以缓解，也促使客户纷纷提前备货，以确保年底至明年初料源稳定。

DDR5/DDR4价格情况：

在DDR5 2Gx8部分，SK Hynix 4800 m die现货报价明显跳空上涨至USD17.0左右，5600 A die报价亦同样明显跳涨来到USD22.0以上。

DDR4 2Gx8部分，SK Hynix新Die价格落在USD33.8以上，CJR-XNC报价落在USD26.5~27.50左右。

DDR4 1Gx8 3200部分，SK Hynix DJR-XNC/CJR-XNC现货价格上涨至USD11.0/7.00以上。

DDR4 512x8 3200部分，Samsung WF-BCWE一般报价为USD3.50左右。

DDR4 512x16 3200/2666部分，SK Hynix DJR-XNC现货价上涨至USD9.50，Samsung WC-BCWE价格落在USD7.80附近，WC-BCTD报价为USD7.95左右。

DDR4 256x16部分，Samsung WF-BCTD报价约落在USD3.10左右。

KST模组现货价格参考：

NAND Flash：现货市场价格涨势强劲

NAND Flash现货市场价格涨势延续强劲态势。受原厂与现货供应商同步控货、惜售影响，报价一路上扬，成交虽有限，但买方询单动作频繁，整体市场呈现供不应求的格局。

在Wafer部分，报价再度大幅调升，其中SK Hynix 512Gb现货价格已来到USD6.00。由于供应端坚持控货不急出货，加上原厂陆续上调报价，使得市场出现明显的买盘追价现象。工厂端为确保后续产线供应，不断于现货市场积极询价与购货，导致价格持续跳涨，买方虽愿意垫高目标价，但能成功成交的机会仍然有限，供不应求的压力越发明显。

在eMMC部分，现货氛围积极热络，尤其是低容量Samsung 4G/8G，买家为满足急单需求，释出大量询价单，虽然在低价区间仍有部分成交，但供应端采取限量出货策略，使整体交易量无法有效放大。