三星电子扩大氮化镓代工，8英寸产线二季度量产

3月20消息，据业内人士透露，三星计划于今年第二季度正式启动其8英寸（200毫米）氮化镓功率半导体代工生产线的全面量产。

尽管三星方面表示无法确认运营细节，但多方消息源证实，该公司已成功锁定至少一家核心客户。不过，受限于初期客户基础相对单薄，业内预计三星氮化镓晶圆代工业务今年的收入规模将低于1000亿韩元。

与传统的纯代工模式不同，三星此次采取了极具竞争力的“全套服务”策略。其产品线定位为不含芯片设计的全流程制造服务，旨在通过提高附加值来增强盈利能力。更为关键的是，三星实现了核心材料的自主可控。

氮化镓半导体依赖于由镓和氮组成的特殊外延晶圆，虽然在试生产阶段三星曾依赖外部采购，但目前公司已成功开发出可用于量产的自研外延晶圆。这种从晶圆制造到封装测试的垂直整合能力，不仅降低了生产成本，更确保了供应链的稳定性。

相比之下，三星竞争对手德高集团（DB HiTek）虽然也提供晶圆和代工服务，但其封装环节仍需外包，且预计量产时间将推迟至今年下半年，比三星晚一到两个季度。另一家潜在竞争者SK Keyfoundry虽已瞄准该市场，但短期内尚无量产计划。

三星之所以不惜重金押注氮化镓，源于其卓越的物理性能优势。功率半导体按材料主要分为硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）。后两者被称为“宽禁带半导体”，相比传统硅材料，它们拥有更宽的能带隙，这意味着在高电压环境下具有更优异的电流阻隔能力和更高的能量转换效率。

具体而言，氮化镓器件在高压运行和快速开关频率方面表现尤为出色。这一特性使其能够实现极高的功率密度，即在更小的体积内处理更大的功率，同时显著降低发热量。对于消费电子领域，这意味着智能手机充电器可以做得更小、更轻且充电速度更快；对于电动汽车，GaN技术则广泛应用于车载充电机（OBC）和直流快充站，大幅缩短充电时间并提升能效。

更为重要的是，氮化镓正在成为人工智能（AI）基础设施的关键组件。随着英伟达（NVIDIA）等巨头大力推广800伏直流（DC）电源架构，数据中心内部需要将高压直流电高效转换为芯片所需的低电压。基于氮化镓的转换器凭借其高频开关特性，成为这一过程中的理想选择，能够显著提升服务器电源的转换效率，降低数据中心的整体能耗和散热成本。

消息人士透露，三星的野心不止于氮化镓。公司预计今年还将推出碳化硅（SiC）功率半导体代工生产线。与主要面向1200伏以下应用的氮化镓不同，碳化硅更适用于1200至1700伏的高压场景，如电动汽车的主驱动逆变器。针对这一市场，三星计划提供从设计、制造到封装的“交钥匙”全套服务，以满足车规级客户对可靠性和集成度的严苛要求。