SPD04N50C3_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：电流ID:4A 参数2：电压VDSS:500V 参数3：RDON:2400mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
【4N50 场效应管(MOSFET)】采用TO-252-2L封装，具备4A的最大漏极电流和500V的漏源耐压，低至2.4mΩ的导通电阻确保了高效能表现。该N沟道MOSFET在30V栅源驱动电压下展现优异的开关速度与稳定性，适用于多种电路保护和电源转换应用，是精密电子项目中的理想选择。
