BSS138W-7-F_SOT-323_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-323 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流ID:0.1A 参数2：电压VDSS:60V 参数3：RDON:1300mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这是一款N沟道场效应管（MOSFET），其设计特点包括最大漏源电压（VDSS）为60V，能够承受高达20V的栅源电压（VGS）。该MOSFET的最大连续漏极电流（ID）为0.1A，在导通状态下的漏源电阻（RDSON）仅为1300毫欧，这表明它在导电时的损耗较低。这种MOSFET适用于需要高效能开关的应用中，如在消费电子产品的电源管理和便携设备的电池保护电路中。
