DMP3098L-7_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流ID:4.1A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:48mR 参数4：沟道类型:P 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款P沟道场效应管（MOSFET）具备30V的最大漏源电压（VDSS），适用于需要较高耐压的应用。其导通电阻（RDSON）低至50毫欧，可在3.8A的连续电流（ID）下保持低功耗特性。栅源电压（VGS）最大为±12V，提供了稳定的控制信号范围。适用于各类消费电子产品，如在便携设备的电源管理系统中作为负载开关，或者在需要精确电流控制的应用中充当关键组件。
