C3M0120090D_TO-247_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：电流ID:22A 参数2：电压VDSS:900V 参数3：RDON:120mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款碳化硅场效应管（MOSFET）是一款N沟道器件，具有22A的连续电流承载能力（ID），最大漏源电压（VDSS）可达900V，导通电阻（RDON）仅为120毫欧。这些特性使得它非常适合用于要求高效率与高频率操作的应用中。其低导通电阻有助于减少导通状态下的损耗，而高的击穿电压则确保了在高压环境下的稳定性和可靠性。适用于设计需要紧凑型高性能电力转换解决方案的场合。
