HPK616BA_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：电流ID:80A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:4.7mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
此款N沟道场效应管（MOSFET）具备出色的电气性能，其最大漏极电流（ID）可达80A，确保了高负载条件下的稳定运行。该器件的漏源极间电压（VDSS）为30V，适用于多种电路设计中，能够承受较高的电压波动。导通电阻（RDS(on)）低至4.7mΩ，在保证效率的同时减少了热能损耗。栅源极电压（VGS）范围为±20V，提供了宽泛的操作灵活性。此MOSFET适用于电源管理、信号处理等电子设备中的开关或放大功能，能够有效提升系统的整体性能。
