HNXV40UNR_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流ID:3A 参数2：电压VDSS:20V 参数3：RDON:45mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款N沟道场效应管（MOSFET）具有3安培的最大连续漏极电流和20伏的最大漏源电压。其导通电阻仅为45毫欧，在12伏的栅源电压下表现出色，确保了低功耗和高效能。适用于需要精确电流控制和快速开关响应的应用场合，如电源管理、信号调理电路及便携式设备中的负载切换等。该元件设计紧凑，易于集成到各种电路中，满足多样化的设计需求。
