HDMG3415U7_SOT-23-3L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23-3L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流ID:4.1A 参数2：电压VDSS:20V 参数3：RDON:34mR 参数4：沟道类型:P 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款P沟道场效应管(MOSFET)具有4.1A的连续漏极电流(ID)，适用于需要中等电流处理能力的应用。其最大漏源电压(VDSS)为20V，导通电阻仅为34毫欧姆(RDON)，保证了较低的功率损耗和高效的电能转换。该MOSFET支持最高10V的栅源电压(VGS)，便于与各种控制电路兼容。它非常适合应用于消费电子、家用电器以及便携设备中的电源管理和开关控制功能，以实现紧凑且高效的设计。
