HSI7850DPT1E3_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：电流ID:30A 参数2：电压VDSS:60V 参数3：RDON:20mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
这款N沟道场效应管(MOSFET)具备30A的漏极电流能力和60V的漏源击穿电压，适用于需要高效能开关的应用场景。其导通电阻为20mΩ，有助于降低功耗并减少发热。支持高达20V的栅源电压，确保了在不同工作条件下的稳定性和可靠性。该MOSFET非常适合用于要求高效率和紧凑设计的消费电子产品中，如电源管理、照明控制等领域。
