HSI1026XT1GE3_SOT-363_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-363 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流ID:0.1A 参数2：电压VDSS:60V 参数3：RDON:1300mR 参数4：沟道类型:N+N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款N沟道场效应管（MOSFET）具有0.1A的额定电流（ID），适用于精细控制和低功耗应用场合。其最大击穿电压（VDSS）为60V，适用于需要高电压稳定性的设计。导通状态下，此MOSFET展现出了1300毫欧（mΩ）的低导通电阻（RDSON），尽管相对较高，但在微小电流应用中可以忽略其影响。栅源电压（VGS）的最大允许值为20V，提供了宽泛的驱动信号范围。此款MOSFET适用于精密仪器、智能家居组件或小型电子设备中的开关及信号调节功能。
