HIRFZ48SPBF_TO-263_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-263 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：800/圆盘 参数1：电流ID:49A 参数2：电压VDSS:55V 参数3：RDON:9mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款N沟道MOSFET具备49A的连续漏极电流（ID）承载能力，以及55V的最大漏源耐压（VDSS），适用于高功率密度的设计需求。其低至9毫欧的导通电阻（RDSON）有效降低了导通状态下的功耗，优化了电路效率。栅源电压（VGS）最高可达20V，提供了灵活的驱动条件。该MOSFET适合用于高性能要求的开关电源、DC/DC转换器以及其他对效率敏感的应用中，能够帮助实现更紧凑、高效的电子设计方案。
