HTK11S10N1L_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：电流ID:30A 参数2：电压VDSS:100V 参数3：RDON:35mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
此款N沟道场效应管（MOSFET）具备30安培的最大连续漏极电流和100伏特的漏源击穿电压，确保了其在高功率应用中的稳定性能。其导通电阻仅为35毫欧，在大电流通过时能够保持较低的发热水平，提高了效率和可靠性。该MOSFET的栅极阈值电压为20伏特，适用于需要快速开关响应的应用场合。此元件广泛适用于电源管理、信号放大及各类电子设备中，是设计高性能电路的理想选择。
