HAM7331PE_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：电流ID:32A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:10mR 参数4：沟道类型:P 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款P沟道MOSFET场效应管，拥有32安培的最大连续漏极电流（ID）和30伏特的漏源极耐压（VDSS），适用于要求严苛的电路设计。其极低的导通电阻（RDS(ON)）仅为10毫欧，有助于降低热耗散，提升系统效率。该MOSFET支持25伏特的栅源极电压（VGS），提供了宽广的驱动电压范围，便于集成到不同的电路中。适合应用于电源管理、信号调节以及需要高效能开关操作的电子项目中。
