HAM60N0209D_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：电流ID:60A 参数2：电压VDSS:20V 参数3：RDON:5mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款N沟道场效应管（MOSFET）能够承载60A的持续漏极电流，具有20V的漏源电压耐受能力。其导通电阻仅为5mΩ，有助于减少功率损耗并提升系统效率。该MOSFET在12V栅源电压下表现出色，适用于需要高效能和快速响应的应用场合，如消费电子设备中的电源管理、开关电源、便携式设备的电池保护电路以及各种家用电器内的控制模块。
