HIRFR3707ZTRPBF_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：电流ID:60A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:7mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
这款N沟道场效应管（MOSFET）具有60A的连续漏极电流（ID）和30V的最大漏源电压（VDSS），适用于要求严苛的应用中控制电流。其导通电阻（RDSON）仅为7毫欧，有助于减少导通状态下的能量损耗。该器件设计工作在最大20V的栅源电压（VGS）下，确保了在多种电路设计中的灵活性与可靠性。通过精确控制，此MOSFET适用于从消费电子产品到便携式设备等多种场合。
