HSTD30PF03LT4_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：电流ID:40A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:18mR 参数4：沟道类型:P 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该P沟道场效应管（MOSFET）具有40A的持续漏极电流能力，能够承受高达30V的漏源电压。其导通电阻仅为18mΩ，有助于降低系统功耗。栅源电压范围为20V，确保了良好的开关特性与稳定性。适用于需要高效能、低损耗开关或线性应用的电路设计中，例如消费电子产品中的电源管理模块，以及便携式设备里的电池充电控制等场景。
