H2N7002K7_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流ID:0.3A 参数2：电压VDSS:60V 参数3：RDON:1000mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款N沟道场效应管具有60V的漏源电压耐受能力，最大连续漏极电流为0.3A。尽管其导通电阻相对较高，达到1000毫欧姆，但该MOSFET能够在20V的栅源电压下稳定工作。它适合应用于需要较小电流控制和高电压处理的场景，如便携式设备、小型电源管理电路及信号处理等消费电子产品中，提供可靠的开关与放大功能。
