HFDMS7660AS_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：电流ID:150A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:2mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款N沟道场效应管（MOSFET）具备高达150A的漏极电流（ID/A），适用于大电流处理的电子产品中。其耐压值（VDSS/V）为30V，适合低压大电流的应用场景。导通电阻（RDSON/mR）低至2毫欧，有助于减少能量损失，提高转换效率。栅源电压（VGS/V）为±20V，确保了可靠的栅极驱动信号识别。该MOSFET可以应用于高性能的电源管理模块、高功率密度的设计以及其他需要快速开关和低热耗散的解决方案中。
