HSI2333CDST1GE3_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流ID:7A 参数2：电压VDSS:20V 参数3：RDON:20mR 参数4：沟道类型:P 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款P沟道场效应管(MOSFET)具备7A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为20V。其导通电阻仅为20毫欧姆，栅源电压范围可达12V。适用于需要紧凑设计与高效能表现的小型电子设备中，例如便携式消费电子产品内的电源管理、负载开关及信号控制等场景。低导通电阻有助于减少能耗，提高系统整体效率。
