HNTJD5121NT1G_SOT-363_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-363 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流ID:0.1A 参数2：电压VDSS:60V 参数3：RDON:1300mR 参数4：沟道类型:N+N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道增强型场效应管（MOSFET）设计用于精密控制场合，具备0.1A的漏极电流（ID），以及60V的最大漏源电压（VDSS）。其导通电阻（RDSON）为1300毫欧，在20V的栅源电压（VGS）驱动下提供可靠的电流路径。此MOSFET适用于需要精细调节电流强度的应用场景，例如电子玩具、智能家居组件或小型电子模块中的信号放大与处理环节，能够确保电路在高压差下的稳定性和精确度。
