HSTD60NF55LAT4_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：电流ID:50A 参数2：电压VDSS:60V 参数3：RDON:11mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款N沟道场效应管（MOSFET）具备50A的连续电流承载能力（ID），并在阻断电压（VDSS）上达到60V，适用于多种电子设备中的电源管理部分。其导通电阻（RDSON）仅为11毫欧，有助于减少能量损耗，提高效率。栅源电压（VGS）最大可达20V，确保了良好的开关性能。此MOSFET设计用于在消费电子产品中作为高效能的开关元件或放大器，能够在高频率下工作，提供稳定的电流控制。
