HDMP2120U7_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流ID:3A 参数2：电压VDSS:20V 参数3：RDON:60mR 参数4：沟道类型:P 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款P沟道场效应管（MOSFET）具有3A的电流承载能力（ID），能够承受最高20V的漏源电压（VDSS）。其导通电阻（RDSON）为60毫欧，这有助于减少在大电流通过时的能量损失。栅源电压（VGS）的最大值为12V，确保了可靠的开启和关闭特性。此MOSFET适用于消费电子产品中的电源路径管理和信号处理，如在便携式设备中作为负载开关或电源同步开关使用。
