HIGLR60R260D1_DFN5X6E-8L_氮化镓晶体管(GaN HEMT)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6E-8L 类别：氮化镓晶体管(GaN HEMT) 最小包装：2500/圆盘 参数1：电流ID:10A 参数2：电压VDSS:650V 参数3：RDON:160mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款氮化镓晶体管（GaN HEMT）为N型设计，提供高达10A的导通电流（ID），并具备650V的最大漏源电压（VDSS）。该器件的导通电阻（RDON）为160毫欧，能够在高压环境下保持较低的功耗。栅源电压（VGS）的工作范围为-1.4V到&V，适合用于多种电路设计中。其特性使其成为高频开关电源、消费类电子产品中的电源转换模块以及便携式设备充电解决方案的理想选择。
