HIMZA120R040M1HXKSA1_TO-247H-4L_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247H-4L 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：电流ID:78A 参数2：电压VDSS:1200V 参数3：RDON:40mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该款碳化硅场效应管（MOSFET）具有78A的连续电流（ID）承载能力，以及高达1200V的断态电压（VDSS）。其导通电阻（RDSON）为40毫欧，有助于降低能耗，提升系统效率。此器件为N沟道类型，设计有18V的最大栅源电压（VGS），支持高效稳定的开关操作。适用于需要高性能电力转换的应用中，如精密电源管理和逆变技术领域，能够提供可靠的电力控制解决方案。
