HUJ3C120070K3S_TO-247_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：电流ID:32A 参数2：电压VDSS:1200V 参数3：RDON:75mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
这款N沟道碳化硅场效应管（MOSFET）具有32A的最大工作电流ID/A，适用于需要较大电流的应用。其承受的漏源电压VDSS/V高达1200V，适用于高压环境。导通电阻RDSON/mΩ为75毫欧，有助于降低能耗。栅源电压VGS/V的最大值为15V，确保了可靠的门极驱动。碳化硅材料的优势在于其优异的热性能和高频率操作能力，这使得该MOSFET成为电力转换解决方案中的理想选择，尤其适用于追求高效与可靠性的电子设备中。
