HSCT3160KLGC11_TO-247_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：电流ID:18A 参数2：电压VDSS:1200V 参数3：RDON:160mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款碳化硅场效应管（MOSFET）属于N沟道类型，其最大工作电流ID为18A，可承受的最大漏源电压VDSS为1200V。导通电阻RDSON低至160毫欧，适用于需要高效能转换的应用中，能够在高达20V的栅源电压VGS下正常工作。这些特性使得该元件成为高频率开关电源设计中的理想选择，能够帮助实现更紧凑、高效的电路设计。
