HNVH4L025N065SC1_TO-247H-4L_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247H-4L 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：电流ID:120A 参数2：电压VDSS:650V 参数3：RDON:15mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款碳化硅场效应管(MOSFET)采用N沟道设计，具备出色的电气性能。其最大漏极电流可达120A，支持高达650V的漏源电压，确保了在高功率场景下的可靠运行。导通电阻仅为15mΩ，有效降低能量损耗和发热，提高系统效率。栅源电压范围为-15V至!5V，提供良好的驱动兼容性。该产品适用于需要高效能、低热阻且能在高压条件下工作的多种应用场景，如高性能电源转换器或要求严格控制功耗的电子设备中。
