HSCT040W120G34AG_TO-247H-4L_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247H-4L 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：电流ID:63A 参数2：电压VDSS:1200V 参数3：RDON:32mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款N沟道碳化硅场效应管（MOSFET）具备卓越的电气特性，最大连续漏极电流为63A，支持高达1200V的漏源电压。其导通电阻仅为32mΩ，有助于降低功耗并提高效率。栅源电压范围是15V，确保了良好的驱动性能。该产品适用于需要在高压环境下高效运作的应用场景，如高性能电源转换器、逆变装置等，能够满足对稳定性和可靠性有较高要求的电子系统需求。
