HIMZA65R072M1HXKSA1_TO-247H-4L_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247H-4L 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：电流ID:29A 参数2：电压VDSS:650V 参数3：RDON:60mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款N沟道碳化硅场效应管（MOSFET）具有29A的连续电流（ID）处理能力，并且能够在高达650V（VDSS）的电压环境下可靠工作。其导通电阻（RDSON）仅为60毫欧，有助于降低能耗。该MOSFET设计的工作栅源电压（VGS）为±15V，能够适应不同类型的驱动信号。这些特性使得它非常适合应用于需要高效能和高频率操作的场合，例如便携式电子设备充电器、家用电器的电源模块以及高性能计算系统的电源供应单元等。
