HSCT040W120G34_TO-247H-4L_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247H-4L 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：电流ID:78A 参数2：电压VDSS:1200V 参数3：RDON:40mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款N沟道碳化硅场效应管（MOSFET）具有78A的连续漏极电流能力和1200V的漏源电压耐受性，导通电阻仅为40mΩ，确保了较低的功率损耗和高效的能量转换。其栅源电压为18V，适用于需要高可靠性和快速开关速度的应用场景。该产品非常适合于高性能电源供应、太阳能逆变器及各种要求紧凑设计与高效率的电子设备中使用。
