HNTH4L040N120M3S_TO-247H-4L_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247H-4L 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：电流ID:63A 参数2：电压VDSS:1200V 参数3：RDON:32mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款碳化硅场效应管（MOSFET）具有63A的连续电流承载能力，最大工作电压VDSS为1200V，导通电阻RDSON为32毫欧，栅源电压VGS为15V，并采用N沟道结构。其优异的电气特性使其成为高电压应用的理想选择，适用于需要高效能电源转换与控制的场合，例如在复杂电源管理系统或高频逆变技术中，能够实现更高效的能量转换与更稳定的系统运行。
