HNTH4L025N065SC1_TO-247H-4L_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247H-4L 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：电流ID:120A 参数2：电压VDSS:650V 参数3：RDON:15mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该款N沟道碳化硅场效应管（MOSFET）拥有120A的连续漏极电流（ID/A），并且设计有650V的漏源击穿电压（VDSS/V）。其导通电阻（RDSON/mR）低至15毫欧姆，在15V的栅源电压（VGS/V）下表现出色。凭借其低损耗特性，该MOSFET适用于高功率密度转换应用，例如高性能的开关模式电源、不间断电源系统等，能够在高频开关应用中实现高效能和热稳定性，从而优化电力转换效率。
