AP10NA011MT_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：电流ID:75A 参数2：电压VDSS:100V 参数3：RDON:7.3mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本款N沟道场效应管（MOSFET）设计用于要求严苛的电路环境，提供高达75安培的连续漏极电流和100伏特的漏源极耐压。其导通电阻仅为7.3毫欧，有助于减少发热，提高系统效率。该MOSFET的栅源极电压范围为20伏特，确保了稳定的开关性能。适用于电源转换、信号调节及各类电子设备中的开关或放大功能，是追求高性能与可靠性的理想选择。
