HSCT20N170_TO-247_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：电流ID:72A 参数2：电压VDSS:1700V 参数3：RDON:45mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款N沟道碳化硅场效应管具有卓越的性能参数，最大漏极电流ID为72A，能够支持高负载应用。其漏源电压VDSS高达1700V，适用于需要承受高压的工作环境。导通电阻RDON仅为45mΩ，有助于降低功耗并提高效率。栅源电压VGS范围在20V内，确保了良好的驱动兼容性。该器件适合于设计高效、紧凑且可靠的电源管理系统，以及在要求严格温度和频率特性的电子设备中使用。
