HSCT30N120_TO-247_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：电流ID:36A 参数2：电压VDSS:1200V 参数3：RDON:80mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款N沟道碳化硅场效应管（MOSFET）的最大导通电流（ID）为36A，断态电压（VDSS）为1200V，适用于高压环境下的电路设计。其导通电阻（RDSON）为80毫欧，有助于降低能耗，优化系统效率。该器件的工作栅源电压（VGS）为20V，适合应用于需要高压和低功耗特性的电源管理系统及电力转换设备中，能够提供可靠的电力控制解决方案。
