HSCTWA60N12G24AG_TO-247H-4L_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247H-4L 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：电流ID:63A 参数2：电压VDSS:1200V 参数3：RDON:32mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该碳化硅场效应管（MOSFET）为N沟道类型，具备出色的电气性能。其最大漏极电流可达63A，支持高达1200V的漏源电压，导通电阻仅为32mΩ，保证了高效的能源转换率和较低的热损耗。栅源电压范围在±15V内，确保了良好的驱动兼容性。这款MOSFET适用于需要高效率、快速开关速度以及稳定工作特性的电源管理方案中，是构建紧凑且高性能电路的理想选择。
