AP10TN010CMT_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：电流ID:75A 参数2：电压VDSS:100V 参数3：RDON:7.3mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款N沟道场效应管（MOSFET）具备75A的最大连续漏极电流和100V的漏源击穿电压，确保了其在高功率应用中的稳定性能。该器件拥有7.3mΩ的导通电阻，有效降低了能量损耗，提升了效率。其栅极阈值电压为20V，保证了良好的开关特性，适用于需要精确控制电流的应用场景。此MOSFET适用于电源管理、电池充电以及各种需要高效能、低功耗的电子设备中。
