AP3P020M_SOP-8_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOP-8 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流ID:11A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:13mR 参数4：沟道类型:P 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
这款P沟道场效应管（MOSFET）具备11A的最大连续漏极电流（ID），能够承受高达30V的漏源击穿电压（VDSS）。其导通电阻（RDS(on)）仅为13mΩ，在20V的栅源电压（VGS）下表现出色。该MOSFET适用于要求高效率和低损耗的开关应用，如电源管理、电池充电电路以及各类电子设备中的信号切换。其紧凑的设计和卓越的电气特性，使得它成为需要精确控制电流流动的应用的理想选择。
