ME2323D_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流ID:4.2A 参数2：电压VDSS:20V 参数3：RDON:48mR 参数4：沟道类型:P 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这是一款P沟道场效应管（MOSFET），拥有4.2A的最大连续漏极电流和20V的漏源极耐压，适用于多种电子电路中的开关控制。该MOSFET在12V的栅源电压下工作时，导通电阻仅为48mΩ，有助于降低功耗，提升整体电路效率。其优异的性能使其成为电源管理、信号路径控制等应用中的理想选择，能够满足对电路性能有较高要求的设计需求。
