AP4459M_SOP-8_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOP-8 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流ID:12A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:10mR 参数4：沟道类型:P 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款P沟道场效应管（MOSFET）具有12A的最大连续漏极电流和30V的漏源极击穿电压，适合应用于需要精确电流控制的电路中。其导通电阻仅为10mΩ，显著减少了发热，提高了系统的整体效率。该MOSFET支持最高20V的栅源极电压，保证了在各种工作条件下的稳定性。它广泛适用于电源转换、电池管理及信号处理等应用领域，是实现高效、紧凑设计的理想选择。
