AP2306GN_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流ID:6A 参数2：电压VDSS:20V 参数3：RDON:22mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
此款N沟道MOSFET场效应管具备6A的连续漏极电流（ID）及20V的漏源极耐压（VDSS），适合用于要求高效率和可靠性的电路设计。其导通电阻仅为22mΩ（RDS(on)），有助于减少电力转换过程中的能量损失，提高系统效能。最大栅源电压（VGS）为12V，确保了良好的驱动特性和广泛的适用性。该元件适用于各类需要精确电流控制和快速开关响应的应用场合，如电源管理、信号处理等领域。
