PK632BA_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：电流ID:150A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:2mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款N沟道MOSFET具备出色的电气性能，其最大漏极电流（ID）可达150A，最高漏源电压（VDSS）为30V，导通电阻（RDON）仅为2mΩ，支持的最大栅源电压（VGS）为20V。这些特性使得该场效应管适用于要求高效率和低热损耗的应用场景，如电源管理、开关电源及各类电子设备中的信号处理与控制电路。其紧凑的设计和高效能表现，使其成为现代电子产品设计的理想选择。
