AP3A022M_SOP-8_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOP-8 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流ID:10A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:12mR 参数4：沟道类型:N+N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款NN沟道场效应管（MOSFET）具备10A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为30V，导通电阻仅为12mΩ，确保了高效能与低发热。其栅源电压范围可达±20V，支持广泛的电路设计需求。该MOSFET适用于各种开关电源、电池管理及信号放大电路中，能够实现快速响应与稳定工作性能，是高性能电子产品设计的理想选择。
