AP3N9R5H_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：电流ID:60A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:7mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款N沟道场效应管（MOSFET）具备优秀的电气性能，支持的最大漏极电流ID为60A，最高耐压VDSS达到30V，导通电阻RDON低至7mΩ，工作于VGS=20V时表现出色。它适用于各种精密电子设备中的快速开关和高效能转换应用，例如在电源管理、信号处理以及电池管理系统中，能够实现高效、稳定的电流控制，同时保持较低的能耗和热量产生，满足高性能电子产品的需求。
