AP3N6R2MT_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：电流ID:60A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:4.3mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款N沟道场效应管（MOSFET）具有优秀的电气性能，支持最大漏极电流ID为80A，最高漏源电压VDSS达到30V，且导通电阻RDON仅为4.3mΩ，在VGS=20V条件下能够实现高效、低损耗的导通。该元件适合应用于要求高效率和快速响应的电路中，例如电源适配器、电池管理系统及各种电子设备内的开关和调节功能。其卓越的性能和可靠性，使得在设计复杂电路时更加灵活可靠。
