AP3N5R0AMT_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：电流ID:90A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:3.5mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款N沟道场效应管（MOSFET）具备90A的连续漏极电流（ID/A）和30V的最大漏源电压（VDSS/V），适合应用于要求高电流承载能力的场合。其低至3.5mΩ的导通电阻（RDON/mR）有效减少了电力传输过程中的能量损失，提高了系统效率。同时，20V的栅源电压（VGS/V）确保了良好的开关特性和稳定性。此款MOSFET是构建高效能电源转换器、逆变器以及各种电子电路中理想的选择。
