AP3N5R0H_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：电流ID:100A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:3.8mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款N沟道场效应管（MOSFET）具有100A的连续漏极电流（ID/A）和30V的最大漏源电压（VDSS/V），适用于高效率电源转换和开关应用。其导通电阻（RDON/mR）仅为3.8mΩ，在高频工作条件下能够保持较低的功率损耗。该MOSFET的栅极阈值电压（VGS/V）为20V，确保了稳定的控制性能和开关速度。广泛适用于各类电子设备中的电源管理和信号处理电路。
