AP3P010H_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：电流ID:80A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:6.5mR 参数4：沟道类型:P 标价：欢迎咨询
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产品介绍
此款P沟道MOSFET场效应管拥有高达80A的最大漏极电流ID，最大漏源电压VDSS为30V，且具备仅6.5mΩ的低导通电阻RDON。在±20V的栅源电压VGS范围内，该元件展现出优异的性能稳定性。适用于多种精密电子设备中，包括但不限于电源转换、信号放大以及设备保护电路，能够有效提高系统效率和可靠性，同时减少热损耗。
