AP3N020YT_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：电流ID:20A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:15mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
此款N沟道场效应管（MOSFET）拥有20A的最大连续漏极电流和30V的漏源极耐压，适合用于需要高效转换和控制的应用场合。其导通电阻低至15mΩ，有助于减少工作时的能耗并提升整体性能。该MOSFET支持20V的栅源极电压，确保了广泛的适用性和灵活性。在电源开关、信号放大等电路中，这款元件能够提供出色的稳定性和可靠性，是实现精确控制的理想选择。
